STI90N4F3

STI90N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为需要高电流处理能力和低导通损耗的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与沟道电阻的平衡，通过精密的半导体工艺实现了卓越的开关性能和热稳定性，为电源转换和电机控制电路提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能展现出极低的导通电阻，典型值低至6.5毫欧（在40A条件下测量）。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率，尤其在处理高达80A（壳温条件下）的连续漏极电流时优势明显。其栅极电荷（Qg）最大值仅为54nC，结合2200pF的输入电容，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并提升工作频率。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），最大功率耗散为110W，展现了强大的鲁棒性和热管理潜力。

在电气参数方面，STI90N4F3的漏源击穿电压（Vdss）为40V，栅源电压（Vgs）可承受±20V，为其在多种电路拓扑中的稳定运行提供了保障。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然适用于许多对成本和性能有特定要求的存量或过渡性设计。对于需要获取此类高性能分立器件的用户，通过官方授权的ST一级代理渠道进行咨询是确保元器件来源可靠的重要途径。

凭借其高电流容量、低导通电阻及快速的开关特性，这款MOSFET非常适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理模块中的同步整流或负载开关环节。它在工业自动化、电动工具、不间断电源（UPS）等领域的功率级设计中曾扮演关键角色，是工程师在构建高效、紧凑型功率系统时曾重点考虑的核心元器件之一。

• 型号:STI90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI90N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值6.5mΩ @ 10V, 40A）与高电流处理能力（连续漏极电流可达80A），能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体能效。

其电气规格包括40V的漏源电压（Vdss），以及优化的动态参数，如较低的栅极电荷（54nC）和输入电容，确保了快速的开关响应。器件设计工作在-55°C至175°C的宽结温范围，最大功率耗散为110W，具备良好的热性能与可靠性，适用于要求严苛的功率开关场景。