STL100N1VH5

STL100N1VH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力和开关效率。其核心设计平衡了高电流密度与热性能，使得在有限的PCB空间内实现大电流开关成为可能。

该MOSFET的显著特性包括极低的导通电阻（R_DS(on)），在4.5V栅极驱动电压下典型值仅为3毫欧，这直接转化为导通状态下的功率损耗最小化。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为26.5nC，结合较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），确保了快速开关特性和低驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，有助于提升系统整体可靠性。

在电气参数方面，STL100N1VH5的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达100A，最大漏源电压（V_DSS）为12V。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为60W。这些参数使其能够稳定工作在苛刻的环境下。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该器件的详细规格、应用支持以及库存信息。

凭借其高电流能力、低损耗和紧凑封装，这款MOSFET非常适合用于对效率和空间有严苛要求的同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点POL转换）、电机驱动控制以及电池保护电路等场景。它在服务器、通信设备、便携式电子产品的电源管理模块中，能够有效提升功率密度和能效比。

• 型号:STL100N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 12.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL100N1VH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL100N1VH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET V产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了高达100A（T_C）的连续漏极电流处理能力，其最大漏源电压为12V。

其核心技术优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至3毫欧，同时最大栅极电荷（Q_g）仅为26.5nC。这一组合特性使其成为高效率、高频率开关电源应用的理想选择，例如同步整流和DC-DC降压转换。