STL115N10F7AG

STL115N10F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向严苛应用环境推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F7技术平台构建，这一架构通过优化的单元设计和沟槽工艺，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心优势在于将高电流处理能力与卓越的散热效能集成于超薄的表面贴装封装内，为高功率密度设计提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的电气性能表现突出，其漏源击穿电压（V_DSS）额定为100V，确保了在常见48V及以下总线系统中的稳定工作余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达107A，脉冲电流能力更强，足以应对电机启动、负载突降等大电流场景。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、53A测试条件下的导通电阻典型值低至6毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量，显著提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声免疫性，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全区间。

在动态特性方面，STL115N10F7AG同样经过优化。在10V V_GS下，其最大栅极总电荷（Q_g）为72.5nC，结合较低的输入电容（C_iss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更紧凑的栅极驱动电路，从而实现更高的开关频率。器件采用专为高散热需求设计的PowerFlat（5x6）封装，该封装具有极低的热阻，配合底部裸露的散热焊盘，能将芯片产生的热量高效传导至PCB铜层，使其在表面贴装条件下可实现高达136W（Tc）的功率耗散能力。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级AEC-Q101标准的可靠性要求，确保在极端温度环境下的长期稳定运行。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高可靠性、高效率和高功率密度特性，此器件非常适用于对空间和能效有严格要求的汽车电子及工业应用。典型应用场景包括电动助力转向（EPS）、油泵/水泵控制、48V轻度混合动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器与电机驱动、大电流负载开关以及紧凑型电源和电机驱动模块。在这些应用中，它能够有效降低系统热设计难度，提升功率密度，并满足汽车行业对元器件长寿命和高可靠性的严苛标准。

• 型号:STL115N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 53A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL115N10F7AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽工艺技术，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了高达107A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为6毫欧（@10V， 53A），这使其在导通状态下的功耗极低，效率突出。

其动态特性经过优化，栅极电荷（Qg）最大值为72.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用散热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，最大功率耗散达136W（Tc），结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在严苛的汽车及工业环境中的高可靠性和稳定性。该MOSFET是设计高功率密度、高效率电源转换和电机驱动方案的理想选择。