STL220N6F7

意法半导体推出的STL220N6F7是一款采用先进STripFET F7技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的沟槽栅极工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达60V，确保了在常见24V或48V总线系统中的可靠工作余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达到120A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为1.4毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的导通压降和功率损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值控制在较低水平，有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度。

在接口与参数方面，STL220N6F7采用±20V的最大栅源电压规格，为栅极驱动设计提供了充足的裕度。其阈值电压（V_GS(th)）最大值在250A漏极电流下为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其结壳热阻（R_thJC）很低，允许在高达175°C的结温（T_J）下工作，最大功率耗散在壳温条件下可达187W，确保了在高功率密度应用中的散热可靠性。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高电压、大电流和超低导通电阻的特性组合，该器件非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动与控制的H桥和半桥电路、工业电源中的OR-ing功能与负载开关，以及各类需要高效功率切换的电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）模块。其稳健的性能使其成为现代高能效电力电子设计的理想选择。

• 型号:STL220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL220N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理高达60V的漏源电压和120A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和20A I_D条件下最大值仅为1.4mΩ，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并具备较低的栅极电荷（Q_g），有助于实现高效的开关操作。这些特性使其成为同步整流、电机驱动、电源转换和各类负载开关等高要求功率管理应用的可靠解决方案。