STL8N10F7

作为ST意法半导体DeepGATE和STripFET VII产品系列中的一员，STL8N10F7是一款采用先进PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡。通过优化的单元设计和先进的沟槽栅工艺，它在紧凑的物理尺寸内实现了优异的电气性能，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率开关解决方案。

该器件的功能特点突出体现在其低导通损耗和出色的开关性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为20毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷最大值控制在22nC，结合优化的内部结构，有助于降低开关过程中的能量损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其漏源击穿电压高达100V，并能在高达35A的连续漏极电流下稳定工作，展现了强大的功率处理能力。

在接口与关键参数方面，STL8N10F7设计有宽泛的栅源电压工作范围，最大可承受±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。其阈值电压最大值设定为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件的热性能同样出色，在表面贴装条件下，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，并且通过优化的PowerFlat（3.3x3.3）封装，有效提升了散热能力，使得在25°C壳温下最大功率耗散可达50W。对于需要本地化技术支持和稳定供货渠道的设计者，可以联系ST中国代理获取详细资料。

凭借这些特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。它常见于DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。无论是工业自动化设备中的伺服驱动器，还是消费电子产品的快速充电模块，其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性都能有效提升整体系统的能效和功率密度，是实现紧凑、高效功率设计的理想选择。

• 型号:STL8N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL8N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用PowerFlat表面贴装封装，在紧凑的3.3x3.3mm占位面积内，提供了100V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流处理能力。

其核心优势在于极低的功率损耗，导通电阻最大值低至20毫欧（@10V，4A），同时栅极电荷最大值仅为22nC，这共同确保了在高频开关应用中的高效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，热性能可靠，适用于空间受限且对热管理要求严格的设计。

综合来看，STL8N10F7以其高功率密度、低导通与开关损耗的特性，成为DC-DC转换、电机驱动和各类电源系统中高性能功率开关的理想解决方案。