STLD200N4F6AG

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101产品系列中STripFET F6技术平台的重要成员，STLD200N4F6AG是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。该器件采用创新的PowerFlat（5x6）双面散热封装，不仅大幅减小了占板面积，其双面散热能力也显著提升了热性能，使得在紧凑空间内处理大功率成为可能。

该MOSFET的电气性能表现突出，其漏源电压（V_DSS）额定值为40V，在25°C壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流。其导通电阻在10V栅极驱动电压、75A电流条件下典型值仅为1.5毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Q_G）最大值控制在172nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速开关并降低开关损耗，从而提升系统整体能效。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品。

在接口与参数方面，STLD200N4F6AG的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，并可在低至6.5V的电压下实现较低的导通电阻，增强了设计的灵活性。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了鲁棒性。其最大结温（T_J）可达175°C，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，配合158W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装型的PowerFlat封装也完全适配自动化生产流程。

凭借其高电流处理能力、优异的开关性能和AEC-Q101车规认证，STLD200N4F6AG非常适用于对可靠性、功率密度和效率有严苛要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机控制（如电动助力转向、燃油泵、风扇控制）、DC-DC转换器（尤其是同步整流拓扑）、以及工业应用中的大电流开关和电源管理模块。其紧凑的封装和强大的热性能使其成为空间受限但功率需求高的现代电子系统的理想选择。

• 型号:STLD200N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:172 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10700 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
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STLD200N4F6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F6技术，在40V漏源电压（V_DSS）下可提供高达120A的连续漏极电流，其导通电阻（R_DS(on)）低至1.5毫欧（@10V，75A），能显著降低导通损耗。

它采用双面散热的PowerFlat（5x6）封装，在实现小尺寸的同时提供了优异的热管理能力，最大结温达175°C。其栅极电荷（Q_G）优化至172nC，有利于实现高效率的快速开关操作。这些特性使其成为汽车电机驱动、大电流DC-DC转换及高密度电源设计的核心功率开关解决方案。