STN3N40K3

STN3N40K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽工艺，在保持紧凑封装尺寸的同时，实现了高击穿电压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于通过第三代SuperMESH技术显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），并优化了内部电容参数，从而在开关应用中能有效降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达400V，使其能够稳定工作在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，在600mA电流条件下最大值为3.4欧姆，这有助于减少导通状态下的功率耗散。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为11nC，结合165pF的输入电容（C_iss），意味着所需的栅极驱动能量小，有利于实现高速开关并简化驱动电路设计。其阈值电压（V_GS(th)）最大为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而±30V的栅源电压范围则提供了坚固的可靠性保障。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装SOT-223封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其连续漏极电流（I_D）在特定壳温条件下可达1.8A，最大功率耗散为3.3W。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购，以保障原装正品和供货稳定。

得益于其高压、低栅极电荷和适中的电流能力，STN3N40K3非常适用于要求高效率和高可靠性的中低功率开关应用。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、LED照明驱动、家用电器中的辅助电源以及工业控制系统的功率接口模块。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，并凭借其稳健的性能确保系统长期可靠运行。

• 型号:STN3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN3N40K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心优势在于其400V的高漏源电压（V_DSS）与优化的动态参数相结合，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

其电气参数设计旨在降低整体损耗。1.8A的连续漏极电流能力和低至3.4欧姆的导通电阻（@10V, 600mA）确保了良好的导通性能。同时，极低的栅极电荷（11nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统能效。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。