STP10N60M2

STP10N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出卓越的效率。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）能力，为离线电源和电机驱动应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为600毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和发热。同时，其极低的栅极电荷（典型值13.5nC @ 10V）和输入电容，意味着驱动电路所需的驱动功率更小，开关速度更快，有助于简化驱动设计并提升系统整体能效。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热，其最大结温（Tj）高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。用户可以通过正规的ST代理商获取完整的数据手册，以获取详细的电气特性曲线、热阻参数和开关特性测试波形，为精确的电路设计和热管理提供依据。

得益于其高性能指标，STP10N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动和逆变器，以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，其快速开关特性和低损耗优势能够有效提升电源密度和系统效率，满足现代电子设备对节能和小型化的持续需求。

• 型号:STP10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）额定值，结合其低至600毫欧的导通电阻（Rds(on)），确保了在高压大电流应用中具备出色的功率处理能力和低传导损耗。

此外，其优化的动态特性，如极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著提升了开关速度并降低了开关损耗，使其非常适合于高频开关电源设计。器件采用TO-220封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为工业级电源转换、电机驱动和照明系统等应用提供了高可靠性和高效率的解决方案。