STP110N55F6

STP110N55F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽栅极工艺，实现了在紧凑的芯片面积内极低的导通损耗，这是其高电流处理能力的关键基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通电阻性能，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为5.2毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在较低水平，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而优化开关电源的开关频率和动态性能。其坚固的设计支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪性和驱动灵活性。

在电气参数方面，STP110N55F6具备55V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达110A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力。其热特性同样出色，最大结温（T_J）可达175°C，配合TO-220封装良好的散热能力，使其能够承受150W（T_C）的功率耗散。这些参数共同确保了器件在严苛工况下的可靠性与长期稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品的相关技术资料与采购信息。

凭借其高电流、低损耗的特性，此器件非常适用于对效率要求极高的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类电源管理模块。典型应用场景包括工业自动化设备中的伺服驱动器、大电流开关电源的同步整流或主开关、以及不间断电源（UPS）和电焊机等大功率设备。其设计旨在满足工程师对功率密度、能效及系统成本进行综合优化的需求。

• 型号:STP110N55F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP110N55F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于结合了STripFET VI先进技术，实现了极低的导通电阻与高电流处理能力的平衡。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.2mΩ @ 60A，配合110A（T_C）的连续漏极电流额定值，能显著降低功率应用中的传导损耗。其55V的漏源电压（V_DSS）和优化的栅极电荷（Q_g）特性，使其成为高效率开关和功率转换设计的理想选择。