STP165N10F4

STP165N10F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET和DeepGATE产品系列。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计通过精细的单元密度控制和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的栅极电荷特性，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的关键特性体现在其出色的电气参数上。其漏源电压（V_DSS）额定值为100V，能够为多种中压应用提供足够的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达120A，展现出强大的电流处理能力。尤为突出的是，其导通电阻在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型值仅为5.5毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。其栅极总电荷（Q_g）在10V条件下最大值为180nC，结合±20V的最大栅源电压（V_GS）范围，为设计者提供了灵活且可靠的驱动选择，有助于优化开关速度和驱动电路设计。

在接口与封装方面，STP165N10F4采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达315W。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些参数共同定义了其在功率电路中的核心角色。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统中的逆变和整流模块、以及电动工具和电池管理系统的功率开关。在这些应用中，它能够有效降低导通损耗，减少热设计压力，从而帮助系统实现更紧凑的尺寸和更高的长期运行可靠性。

• 型号:STP165N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP165N10F4是意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于100V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力，能够胜任中高功率级别的开关任务。

该器件的显著特点是其极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下典型值仅为5.5mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）控制在180nC，有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。

综合其315W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，STP165N10F4为电机驱动、电源转换和各类功率开关应用提供了一个高效、可靠的解决方案。