STP17N80K5

意法半导体推出的STP17N80K5是一款采用先进MDmesh K5技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶硅上集成了独特的单元布局和先进的沟槽栅极技术，旨在实现极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，同时增强了器件的坚固性和可靠性，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气特性。高达800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合仅340毫欧的低导通电阻（Rds(on)）（测试条件为7A，10V Vgs），确保了在导通状态下极低的功率耗散，从而提升系统整体能效。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少驱动损耗并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，简化电路设计。

在接口与参数方面，STP17N80K5采用标准的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高达170W的功率耗散能力。其栅极驱动电压（Vgs）范围宽至±30V，提供了良好的抗干扰能力，而典型的阈值电压（Vgs(th)）设计确保了可靠的导通与关断控制。较低的输入电容（Ciss）进一步优化了高速开关性能。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动和逆变器、照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些场景中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是工程师设计高效、紧凑型高压功率系统的优选器件。

• 制造商产品型号：STP17N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：866pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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STP17N80K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，核心特性包括800V的高漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），旨在满足高压、高功率应用的需求。

其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值为340mΩ @ 7A, 10V）和优化的栅极电荷（Qg），这共同实现了更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和170W的功率耗散能力，确保了在工业电源、电机驱动等严苛环境下的可靠性与稳定性。