STP18NM80

STP18NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于多外延层与特殊单元布局，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过优化的内部结构管理电场分布，确保了在800V高漏源电压下的稳定性和可靠性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与强健性展开。其标称导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为295毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。栅极电荷（Qg）典型值低至70nC，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的驱动损耗更低，开关速度更快，有助于提升高频开关电源的工作频率和功率密度。器件具备±30V的宽栅源电压范围，提供了设计裕量和抗干扰能力，而高达150°C的结温（TJ）和190W（Tc）的功率耗散能力则确保了其在严苛热环境下的持续工作潜力。

在电气接口与关键参数方面，STP18NM80定义了明确的操作边界。其漏源击穿电压（Vdss）为800V，为离线式电源和工业电机驱动等应用提供了充足的安全余量。在壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值为17A。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器进行高效的热管理，这也是工业级功率器件的常见选择。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP18NM80非常适合应用于需要高效能量转换的领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效处理高电压大电流，同时将开关和导通损耗降至最低，是实现紧凑、高效、可靠功率系统的关键元件。

• 型号:STP18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP18NM80的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh技术，封装形式为TO-220AB。其核心电气参数定义了强大的性能基础：800V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）使其能够胜任高压大电流的开关任务。

该器件的突出优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）典型值低至295毫欧（@10V, 8.5A），配合仅70nC的栅极电荷（Qg），共同确保了极低的导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率。高达150°C的结温（TJ）和190W的功率耗散能力，进一步保障了其在高温高功率环境下的可靠运行。