STP4N90K5

STP4N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶硅上集成了高性能的栅极和源极单元，其核心优势在于通过创新的单元几何形状和掺杂剖面，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这种架构使得开关过程中的传导损耗和开关损耗得到有效平衡，为实现高效率的功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达900V，提供了充裕的电压裕量，能够可靠地应对工业应用中的电压尖峰和浪涌。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值较低，有助于减少通态损耗，提升系统整体能效。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）是其另一大亮点，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较强的栅极抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品及相关设计资源。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下额定值为3A，最大功耗为60W（Tc）。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了在通常的驱动电压下能够完全导通。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。这些参数共同定义了一个坚固且性能可预测的功率开关解决方案。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STP4N90K5非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式功率转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些场景中，它能够帮助设计工程师优化系统效率，减小散热器尺寸，并最终实现更紧凑、更可靠的电源设计方案。

• 型号:STP4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的电压阻断能力。

其技术优势主要体现在采用MDmesh K5技术，实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异结合。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）表现出色，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值5.3nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值173pF @ 100V）确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正等高效能功率转换应用的理想选择。