STP57N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STP57N65M5是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和垂直导电结构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。该器件采用了ST专有的MDmesh V技术，通过创新的电荷平衡原理，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而在给定的芯片尺寸下实现了更高的电流处理能力和更低的传导损耗。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力和开关尖峰，为系统提供了宽裕的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达42A，展现出强大的电流承载能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、21A漏极电流的测试条件下，其导通电阻典型值低至63毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为98nC，结合±25V的最大栅源电压（Vgs）范围，意味着该器件易于驱动，能够实现快速的开关转换，有助于降低开关损耗并提升高频工作性能。

在封装与接口方面，STP57N65M5采用了经典的TO-220通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上。其最大功率耗散能力为250W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了器件在严苛热环境下的可靠运行。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善EMI性能并简化栅极驱动电路的设计。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和高开关速度的组合，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和DC-DC转换器、工业电机驱动和逆变器、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换系统。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑且可靠的功率电子解决方案的理想选择。

• 型号:STP57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和42A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优异开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至63毫欧 @ 21A，能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大98nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为高性能开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用的理想功率开关解决方案。