STP5N120

STP5N120是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在1200V的高压应用下，提供稳定可靠的开关性能，同时将传导损耗控制在较低水平，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其1200V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下的典型导通电阻（Rds(on)）表现，结合4.7A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在导通期间具有较低的功率耗散。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。

在电气参数上，STP5N120的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值设定为5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则赋予了其坚固的栅极可靠性。该器件采用标准的TO-220-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其结壳热阻特性支持高达160W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合在宽温环境下稳定运行。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其高耐压、良好的开关特性以及TO-220封装的便利性，这款MOSFET非常适用于需要高压开关和功率控制的领域。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）系统以及电子镇流器等。它为工程师在这些高压、中功率应用中提供了一个经过验证的半导体开关解决方案。

• 型号:STP5N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP5N120的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP5N120是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为1200V漏源电压（Vdss）与4.7A连续漏极电流（Id），采用TO-220-3通孔封装，专为高压开关应用而设计。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，在维持高击穿电压的同时，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于降低导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持高达160W的功率耗散，工作温度范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。