STP5N80K5

STP5N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了超结（Super-Junction）与电荷平衡技术的融合，这一核心架构旨在显著降低单位面积下的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高压开关应用中达成高效率与低损耗的平衡。其设计重点在于优化内部电场分布，以支持高达800V的漏源击穿电压，同时保持快速开关特性。

得益于MDmesh K5技术，该MOSFET展现出卓越的电性能。800V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与开关尖峰。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为1.75欧姆，这直接降低了导通状态下的功率损耗。更关键的是，其栅极总电荷（Qg）典型值低至5nC（@10V），结合输入电容（Ciss）典型值为177pF（@100V），意味着驱动电路所需的开关能量极低，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于提升开关频率并降低开关损耗，尤其适用于需要高频率操作的场合。

该器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。在额定条件下，其连续漏极电流（Id）可达4A（基于壳温Tc），最大功率耗散为60W（Tc）。±30V的栅源电压（Vgs）最大值提供了充裕的驱动安全裕度。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、低损耗及快速开关的特性组合，STP5N80K5非常适合于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式转换器的主开关管。此外，在电子镇流器、工业电机驱动辅助电源、UPS（不间断电源）系统以及照明领域的HID灯电子镇流器等高压功率开关应用中，它也是一款值得考虑的高性价比解决方案，能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STP5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态特性的结合，专为要求高耐压和高效开关的应用而设计。

其技术亮点包括极低的栅极电荷（Qg典型值5nC）和较低的导通电阻（Rds(on)典型值1.75Ω），这共同确保了在高压开关电路中实现更低的开关损耗和导通损耗。TO-220封装提供了良好的功率处理能力，最大耗散功率达60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了应用的鲁棒性与可靠性。