STP70N10F4

STP70N10F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220-3通孔封装。该器件基于STripFET和DeepGATE技术平台构建，这一架构通过优化的单元设计和沟槽工艺，在硅片层面实现了更低的单位面积导通电阻与更优的电荷平衡。其核心设计目标是在100V的电压等级下，提供出色的电流处理能力与开关效率，尤其注重降低传导损耗和开关损耗，以满足中高功率应用对能效的严格要求。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为19.5毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗，提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在85nC，结合5800pF的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，有助于降低开关过程中的损耗并简化栅极驱动电路的设计。其坚固性体现在宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）以及高达150W（Tc条件下）的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STP70N10F4标称连续漏极电流（Id）高达65A（Tc条件下），漏源击穿电压（Vdss）为100V，栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V。这些参数共同定义了一个适用于多种开关和线性调节场景的稳健操作窗口。用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。其标准的TO-220封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以管理热耗散。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、直流-直流转换器，以及各类工业设备中的电子负载开关和功率管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在存量市场及特定设计中仍具参考价值。

• 型号:STP70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP70N10F4是ST意法半导体基于STripFET和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心电气参数定义了强大的性能基础：100V的漏源电压（Vdss）和高达65A（Tc）的连续漏极电流处理能力，使其能够胜任中高功率场景。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能平衡。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为19.5毫欧（@30A），有效降低了传导损耗。同时，最大85nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。