STP75N3LLH6

STP75N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过DeepGATE工艺显著降低了单元密度和栅极电荷，从而在导通电阻与开关性能之间实现了出色的平衡。其核心架构旨在提供高效率的功率转换和开关控制，适用于对功率密度和热管理有较高要求的应用环境。

该MOSFET的关键电气特性使其在低压、大电流场景中表现突出。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达75A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）极低，在10V栅源电压（Vgs）和37.5A漏极电流条件下，最大值仅为5.9毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且标准驱动电压为4.5V至10V，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动器的良好兼容性，便于设计。

在动态性能方面，栅极总电荷（Qg）最大值仅为23.8nC（@4.5V），结合2030pF的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散为60W（Tc），结温工作范围宽达-55°C至175°C，提供了可靠的鲁棒性和热稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链安全的重要途径。

基于上述特性，STP75N3LLH6非常适合应用于需要高效功率处理的领域。其典型应用场景包括低压大电流的DC-DC同步整流和功率开关，例如在服务器电源、通信设备电源模块中作为次级侧整流管或主开关管。此外，它也常用于电机驱动控制、电池保护电路以及各类电动工具的逆变器中，其低导通电阻有助于减少发热，提升整体能效和功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在壳温条件下可承载高达75A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，最大值仅为5.9毫欧（@10V， 37.5A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。

器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）低至23.8nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。标准TO-220通孔封装提供了良好的散热路径，支持最大60W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为低压、大电流开关及功率转换应用的理想选择。