STP95N4F3

STP95N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的通孔TO-220AB封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的卓越平衡，这是衡量MOSFET开关性能与导通损耗的关键品质因数（FOM）。

该芯片具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于低压大电流的功率转换场景。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压（V_GS）和40A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为6.2毫欧，极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，这有助于降低开关损耗，并减轻栅极驱动电路的设计负担，使开关频率得以提升。

在接口与电气参数方面，STP95N4F3的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±20V，为驱动设计提供了充足的裕量。器件的最大输入电容（C_iss）为2200pF，结合较低的Q_g，共同决定了其快速的开关响应特性。该MOSFET的结温工作范围宽达-55°C至175°C，并能在壳温110W的最大功率耗散下稳定运行，体现了出色的热性能和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借上述技术优势，STP95N4F3非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动中的H桥下管，或DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）中的主开关管。在服务器电源、工业电源、电动工具、电池管理系统以及大电流负载开关等产品中，该器件都能有效降低能耗，提升功率密度，是实现高性能、高可靠性电源解决方案的理想选择。

• 型号:STP95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP95N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS和40A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为6.2毫欧，配合高达80A的连续漏极电流处理能力，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。

此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于实现快速的开关切换并减少开关损耗。40V的漏源电压（V_DSS）和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，使其在严苛的工业环境中也能保持稳定可靠的性能。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换等应用的理想功率开关解决方案。