STPSC16H065CT

STPSC16H065CT是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用TO-220-3封装的双碳化硅（SiC）肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，集成了两个独立的650V、8A碳化硅肖特基二极管，其核心架构基于宽禁带半导体材料碳化硅。与传统的硅基快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）相比，碳化硅材料带来了更优异的物理特性，从根本上改变了二极管的开关行为。这种材料特性使得器件在高温、高压和高频环境下具有卓越的稳定性和可靠性，为功率转换系统提供了新的性能基准。

该二极管最显著的功能特点是其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。由于碳化硅肖特基二极管是一种多数载流子器件，其开关过程不涉及少数载流子的注入与复合，因此从根本上消除了反向恢复现象。这一特性对于提升系统效率至关重要，它极大地降低了开关损耗，尤其是在高频硬开关拓扑（如功率因数校正PFC、LLC谐振转换器）中，可以显著减少开关管（如MOSFET或IGBT）的导通尖峰和关断损耗。同时，其正向压降（Vf）在8A电流下典型值仅为1.75V，提供了优异的导通性能，有助于降低导通损耗。其反向漏电流在650V额定电压下也维持在极低的80A水平，确保了高温下的高阻断能力。

在接口与参数方面，STPSC16H065CT提供了全面的电气规格保障。其额定反向电压高达650V，为400V母线电压应用提供了充足的裕量。每个二极管的平均整流电流为8A，采用经典的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热。其宽泛的结温工作范围（-40°C至175°C）使其能够适应严苛的工业环境。共阴极的引脚配置使其非常适合于作为升压二极管或续流二极管使用，在电路板布局上可以简化设计。对于需要可靠供应链和技术支持的开发者，可以通过官方授权的ST代理商获取样品、数据手册和设计支持。

基于其高性能，STPSC16H065CT非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。在服务器电源、通信电源、工业电源等前端功率因数校正（PFC）电路中，它可以作为升压二极管，实现高频高效运行。在太阳能逆变器、UPS不同断电源、电动汽车车载充电机（OBC）的DC-DC转换阶段，其零反向恢复特性有助于提升整机效率并降低电磁干扰（EMI）。此外，在焊接设备、电机驱动等工业变频器中，它也能作为高效的续流或钳位二极管，提升系统的可靠性和功率密度。这款器件代表了中高功率领域从硅器件向宽禁带半导体过渡的重要解决方案之一。

• 型号:STPSC16H065CT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STPSC16H065CT是意法半导体推出的一款650V/8A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装和共阴极配置。其核心优势在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），从根本上消除了开关损耗，特别适用于高频开关应用。

该器件在8A电流下的正向压降仅为1.75V，兼具低导通损耗特性。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，反向漏电流极低，确保了在高温高压条件下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为提升服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等中高功率系统效率和功率密度的理想选择。