STPSC40065CWY

STPSC40065CWY是ST意法半导体推出的一款高性能碳化硅肖特基二极管，采用TO-247-3封装，专为满足严苛的汽车电子和工业应用需求而设计。该器件基于先进的宽带隙半导体材料碳化硅，其核心优势在于从根本上消除了传统硅基快恢复二极管固有的反向恢复电荷问题，实现了理论上零反向恢复时间的特性。这种架构使得器件在开关过程中不会产生拖尾电流，从而显著降低了开关损耗和电磁干扰，为提升系统效率和功率密度奠定了物理基础。

在功能表现上，该二极管在650V的最大反向电压下，能够提供高达20A的平均整流电流，同时维持较低的正向压降，典型值仅为1.45V @ 20A。这一特性直接转化为更低的导通损耗。其无恢复时间的开关特性尤其适用于高频开关应用，能够有效减少开关节点上的电压尖峰和振荡，简化缓冲电路设计。此外，在650V反向电压下的反向漏电流典型值仅为300A，体现了出色的高温阻断能力和静态功耗控制。其结电容参数为1250pF @ 0V，1MHz，为高频下的动态性能评估提供了关键依据。

该器件的接口形式为标准通孔TO-247封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在功率板上安装和进行热管理。其参数组合高耐压、大电流、低Vf与零Qrr共同指向了对效率和可靠性要求极高的应用领域。它非常适合用于功率因数校正电路、开关模式电源、光伏逆变器以及电动汽车的车载充电机和DC-DC转换器等场景。在这些应用中，它能帮助系统实现更高的开关频率、更紧凑的磁性元件设计以及整体效率的提升。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及其技术支持。

作为ST Automotive, AEC-Q101, ECOPACK2产品系列的一员，STPSC40065CWY不仅满足了汽车行业的可靠性标准，其ECOPACK2认证也确保了其符合环保法规要求。这款“有源”状态的器件代表了从硅到碳化硅的功率半导体技术演进，为下一代高效能源转换系统提供了关键的整流解决方案。

• 型号:STPSC40065CWY
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 20 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:1250pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 想获取STPSC40065CWY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC40065CWY是ST意法半导体推出的一款650V/20A碳化硅肖特基整流二极管，采用TO-247封装。该器件的核心价值在于其碳化硅材料带来的卓越开关性能，具备零反向恢复时间和零反向恢复电荷，这从根本上消除了开关损耗中的关键部分，并大幅降低了相关的电磁干扰。

其电气参数表现出色，在20A额定电流下正向压降仅为1.45V，确保了较低的导通损耗。同时，高达650V的反向击穿电压和低至300A @ 650V的反向漏电流，为其在高压高效应用中的稳定运行提供了保障。这些特性使其成为提升PFC、SMPS、太阳能逆变器及电动汽车电驱系统效率与功率密度的理想选择。