ST代理,ST芯片代理,ST代理商
ST代理商渠道,ST芯片一站式采购平台
ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
ST
STPSC4H065D的图片

STPSC4H065D

ST图标
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
原厂封装:封装:TO-220AC
优势价格,STPSC4H065D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
STPSC4H065D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体推出的STPSC4H065D是一款采用碳化硅(SiC)材料与肖特基势垒结构相结合的高性能功率二极管。其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管的设计,利用碳化硅材料更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场和优异的热导率特性,构建了一个理想的单极型器件。这种设计从根本上消除了少数载流子存储效应,使得器件在开关过程中不会产生反向恢复电流与电荷,实现了近乎理想的开关特性,这对于提升高频、高效功率转换系统的整体性能至关重要。

该器件的功能特点极为突出。首先,其具备650V的高反向耐压4A的平均正向电流能力,为工业级应用提供了充足的电压与电流裕量。在导通特性上,其在4A额定电流下的典型正向压降仅为1.75V,有效降低了导通损耗。最显著的优势在于其开关特性:由于是单极器件,它拥有零反向恢复时间(0ns)零反向恢复电荷。这意味着在开关转换期间,不会出现传统快恢复二极管所固有的电流过冲和电压振荡问题,从而大幅降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),简化了缓冲电路的设计。此外,其在650V反向电压下的漏电流典型值低至40A,展现了优异的阻断能力与高温稳定性。

在接口与参数方面,STPSC4H065D采用标准的TO-220AC通孔封装,便于安装散热器,其热性能和机械可靠性经过了充分验证。其结电容在0V偏压、1MHz测试条件下为200pF,较小的结电容进一步支持了高频开关操作。这些参数共同描绘出一个高效、可靠的功率开关器件形象,使其能够胜任对效率和频率要求苛刻的应用环境。如需获取官方技术支持和正品货源,建议通过ST授权代理进行采购。

基于其卓越的性能,STPSC4H065D非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括功率因数校正(PFC)电路、开关模式电源(SMPS)的次级整流、光伏逆变器的升压电路、不间断电源(UPS)以及各类高频DC-DC转换器。在这些应用中,它能够有效降低系统整体损耗,提升功率密度,并允许使用更小的磁性元件,从而帮助设计者实现更紧凑、更高效的下一代电源解决方案。

  • 型号:STPSC4H065D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220AC
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • 想获取STPSC4H065D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC4H065D是ST意法半导体推出的一款650V/4A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC通孔封装。该器件利用碳化硅材料的优异特性,实现了无反向恢复时间(0ns)的开关性能,从根本上消除了开关损耗和相关的EMI问题。

其核心参数包括在4A电流下仅1.75V的低正向压降,以及在650V高压下仅40A的低反向漏电流,确保了高效率与高温下的稳定运行。这些特性使其成为追求高频、高效和高可靠性的功率转换应用的理想选择,如PFC、SMPS、太阳能逆变器和高端电源。

了解更多ST芯片的报价及技术资料
ST芯片代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
ST公司(意法半导体)授权的国内ST一级代理一手货源,大小批量出货
ST中国代理商