STPSC6H065G-TR

STPSC6H065G-TR是ST意法半导体推出的一款采用碳化硅（SiC）材料制造的肖特基势垒整流二极管。该器件基于先进的宽带隙半导体技术，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管的结构，利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒来实现单向导电。这种设计从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了卓越的开关性能。其DPAK（TO-263AB）表面贴装封装提供了优异的功率处理能力和散热特性，适用于高功率密度应用。

该二极管的核心优势在于其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）的特性。由于碳化硅肖特基二极管是多数载流子器件，在开关过程中没有少数载流子的复合延迟，因此其开关损耗极低。这一特性使得它在高频开关电路中表现尤为出色，能够显著降低系统的整体开关损耗和电磁干扰（EMI）。同时，其高达650V的反向击穿电压（Vr）和6A的平均正向电流（Io）能力，确保了在严苛的工业环境下的高可靠性运行。其正向压降（Vf）在6A电流下仅为1.75V，结合极低的反向漏电流（Ir @ 650V仅为60A），共同实现了高效率的能量转换。

在电气参数方面，除了优异的静态和动态特性，该器件还具有低结电容（典型值300pF @ 0V, 1MHz），这进一步优化了高频下的性能。其工作结温范围宽，配合DPAK封装裸露的金属焊盘，便于通过PCB进行高效散热。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。这些接口和参数特性使其成为传统快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）的理想升级替代方案。

基于其高性能，STPSC6H065G-TR非常适合应用于对效率和频率有苛刻要求的领域。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的高压次级侧整流、光伏逆变器和UPS不间断电源的升压或整流环节，以及电动汽车车载充电机（OBC）和工业电机驱动中的高频整流电路。在这些场景中，它能有效提升系统效率、增加功率密度并降低散热需求，是设计下一代高效、紧凑型电力电子系统的关键元器件。

• 型号:STPSC6H065G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:300pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC6H065G-TR是ST意法半导体生产的一款650V/6A碳化硅肖特基整流二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽带隙特性，实现了传统硅二极管无法比拟的高温稳定性和开关性能。

其最显著的技术优势在于零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），这从根本上消除了开关损耗中的反向恢复损耗部分，使其非常适用于高频开关应用。同时，高达650V的反向耐压和仅1.75V（@6A）的低正向压降，在保证系统可靠性的同时提升了能源转换效率。

综合来看，这款二极管旨在为高效率、高功率密度的电源设计提供核心的整流解决方案，特别是在PFC、服务器电源、太阳能逆变器和电动汽车充电装置等先进电力电子系统中具有重要价值。