STS13N3LLH5

STS13N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡。这种架构通过精细的单元设计和制造工艺，有效减少了硅片面积上的导通损耗，同时显著提升了开关速度，使其在需要高效率功率转换的应用中表现出色。其表面贴装型的8-SO封装，为紧凑的PCB布局提供了便利，并确保了良好的热性能。

该MOSFET的核心电气特性使其在低压、大电流的开关场景中极具竞争力。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达13A，展现了强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至6.6毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，配合最大仅12nC（@4.5V）的栅极总电荷（Qg），意味着该器件易于驱动，能够实现快速、平滑的开关切换，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，STS13N3LLH5的栅极-源极电压（Vgs）允许范围为-20V至+22V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为1500pF，结合低Qg特性，共同确保了高频开关下的优异性能。器件的最大功率耗散为2.7W（Tc），结合其封装的热特性，需要在系统设计中充分考虑散热。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系专业的ST中国代理获取更详细的产品资料和供应链信息。

凭借其低导通电阻、快速开关和稳健的电气特性，STS13N3LLH5非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关，特别是在服务器、通信设备、笔记本电脑的电源管理模块中。它也适用于电机驱动控制电路中的H桥或半桥下管、电池保护电路以及各类低压大电流的功率开关场合。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍可作为同类器件选型的重要参考。

• 型号:STS13N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.6 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取STS13N3LLH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS13N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用表面贴装8-SO封装，核心优势在于其优异的电气参数平衡。

其额定漏源电压为30V，在25°C壳温下可连续通过13A电流。最关键的特性是其极低的导通损耗，在10V Vgs、6.5A Id条件下，Rds(on)典型值仅为6.6毫欧。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值低至12nC @ 4.5V，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些参数共同使其成为高效率、高功率密度低压开关电源和电机驱动应用的理想选择。