STP8NK100Z

STP8NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元结构和外延层设计，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的网格状布局和掺杂剖面控制，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了高达1000V的漏源击穿电压（V_DSS），为高压开关应用提供了坚固的电气基础。

在功能表现上，这款MOSFET具备卓越的开关特性与稳健性。其最大导通电阻仅为1.85Ω（在V_GS=10V， I_D=3.15A条件下），有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极电荷（Q_g）典型值较低，结合10V的标准驱动电压，使得开关速度快，驱动电路设计更为简便，有助于减少开关损耗。器件最高结温（T_J）可达150°C，并在管壳温度（T_C）下支持高达160W的功率耗散，展现了强大的热管理能力和工作可靠性。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。

从接口与关键参数来看，STP8NK100Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，适合在要求高可靠性的工业环境中使用。其连续漏极电流（I_D）在T_C=25°C时额定值为6.5A，能够处理可观的负载电流。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于在高频开关应用中维持稳定的性能。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其高耐压、低导通损耗和坚固的封装，该器件非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的离线式电源拓扑。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、反激式或正激式转换器的主开关、工业电机驱动与控制的逆变器桥臂，以及UPS（不间断电源）和电子镇流器等高压功率转换环节。它在这些场景中能够有效提升系统效率，并确保在恶劣电气环境下的长期稳定运行。

• 型号:STP8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）与低至1.85Ω的导通电阻（R_DS(on)）的优异组合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升电源转换效率。

器件在25°C管壳温度下可承受6.5A的连续漏极电流，并支持高达160W的功率耗散，配合TO-220AB封装，具备出色的电流处理能力和散热性能。其栅极驱动设计简便，标准10V驱动电压下栅极电荷（Q_g）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统中高效、可靠的高压开关解决方案。