STS2DPF80

STS2DPF80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET工艺技术开发的一款双P沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，集成了两个独立的逻辑电平门控P沟道MOSFET，为设计工程师提供了一个高集成度的功率开关解决方案。其核心优势在于将两个性能一致的MOSFET单元集成于单一封装内，有效节省了PCB空间，简化了电路布局，尤其适用于需要对称或互补驱动的应用场合。

该芯片的每个MOSFET通道均具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id）能力。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，这意味着它可以直接由5V或3.3V的微控制器或逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其导通电阻（Rds(on)）在1A电流和10V栅极驱动下典型值仅为250毫欧，较低的导通损耗有助于提升系统效率并减少发热。

在动态特性方面，STS2DPF80表现出色。其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC @ 10V，结合739pF @ 25V的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。器件最高结温（Tj）可达150°C，最大功耗为2.5W，提供了可靠的热性能余量。用户可通过正规的ST一级代理获取该产品的完整技术资料、样品及供应链支持。

凭借其双通道、逻辑电平驱动、低导通电阻和快速开关的特性，STS2DPF80非常适合于空间受限且需要高效功率管理的应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、电池供电设备中的电源路径管理，以及各类需要P沟道MOSFET进行高端开关或信号切换的工业与消费电子系统。其8-SOIC封装兼容标准的自动化贴装工艺，便于大规模生产。

• 型号:STS2DPF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:80V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:739pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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STS2DPF80是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。每个通道额定为80V Vdss和2A连续漏极电流，具备逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 4V），可直接由低压微控制器驱动，简化了接口设计。

该器件在1A，10V条件下的导通电阻低至250毫欧，有助于降低传导损耗。其动态性能优异，栅极电荷（Qg）仅20nC，支持快速的开关切换。这些特性使其成为空间紧凑、要求高效率的功率开关应用的理想选择，如DC-DC转换、电机控制和电源管理电路。