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STT13005D-K

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 2A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,STT13005D-K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STT13005D-K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STT13005D-K是ST意法半导体推出的一款高性能NPN型双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-225AA(TO-126-3)通孔封装,专为需要高电压、中等电流处理能力的开关和线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,通过优化的芯片设计和封装工艺,在集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达400V的条件下,实现了高达2A的连续集电极电流(IC)承载能力,确保了器件在高压环境下的可靠性与稳定性。

该器件在电气性能上表现出色,其饱和压降(VCE(sat))典型值较低,在IC=1.6A、IB=400mA的条件下,最大值仅为1.5V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。其直流电流增益(hFE)在IC=500mA、VCE=5V时最小值为10,提供了足够的驱动能力。此外,集电极截止电流(ICEO)最大值为250A,体现了良好的关断特性。器件的最大功耗(PTOT)为45W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,使其能够适应较为严苛的热环境,具备较强的过载和热承受能力。

在接口与参数层面,STT13005D-K作为一款三端器件,其引脚定义符合行业标准,便于在现有电路板上进行替换和安装。其关键参数组合400V耐压、2A电流、45W功耗构成了一个均衡的性能三角,使其在众多通用功率开关方案中占据一席之地。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和原装正品,确保设计的一致性与长期可靠性。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中选择时需评估供应链的长期可获得性,或考虑其升级替代型号。

基于其性能特点,STT13005D-K非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动、UPS系统以及AC-DC转换器等场景中,作为核心的开关或驱动元件。其高耐压特性使其能直接应对整流后的高压直流母线,而适中的电流能力足以驱动中小功率负载,是工业控制、消费电子电源以及照明驱动等领域中一款经过验证的经典功率器件解决方案。

  • 型号:STT13005D-K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 2A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 400mA,1.6A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大值:45 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
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STT13005D-K是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管,采用TO-126-3(TO-225AA)通孔封装。其核心电气参数定位明确,具备400V的高集射极击穿电压2A的连续集电极电流能力,能够有效应对高压开关环境下的电气应力。

该器件在性能上注重效率与可靠性,其最大饱和压降仅为1.5V(@1.6A),有助于减少导通损耗。同时,高达45W的最大功耗和150°C的结温工作上限,确保了其在功率应用中的热稳定性和鲁棒性。这些参数使其成为中低压、中等功率开关及线性放大电路的合适选择。

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