STU10N60M2

STU10N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和先进的工艺技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

该器件在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值为7.5A，最大功率耗散可达85W，展现了良好的功率处理能力。其导通电阻最大值仅为600毫欧（在3A，10V条件下），配合较低的栅极电荷（典型值13.5nC @ 10V），共同确保了在硬开关和软开关拓扑中都能实现高效率。驱动方面，它采用标准10V驱动电压，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，并具备±25V的宽泛栅源电压耐受范围，这为栅极驱动电路的设计提供了充足的裕量和可靠性保障。

在电气参数上，STU10N60M2的输入电容（Ciss）在100V条件下最大为400pF，有助于减少驱动电路的负担并提升开关速度。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过授权的ST一级代理获取该型号的库存与技术支援。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟稳定的性能使其在诸多既有设计和备件替换市场中仍占有一席之地。它非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，其高耐压、低损耗的特性有助于构建紧凑、高效且可靠的功率转换解决方案。

• 型号:STU10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU10N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与7.5A连续漏极电流（Id），最大功率耗散85W，适用于中高功率的开关应用。

其技术优势在于实现了低导通电阻（典型600mΩ @ 3A, 10V）与低栅极电荷（典型13.5nC @ 10V）的优化组合，这能有效降低传导与开关损耗，提升系统整体效率。器件支持10V标准驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和设计灵活性。