STU5N95K3

STU5N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了卓越的电气性能与可靠性平衡。其核心设计目标是在高耐压条件下，显著降低导通电阻和栅极电荷，从而提升系统效率并简化驱动电路设计。

该MOSFET具备高达950V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为3.5欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为19nC，结合460pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗极低，可以实现更高频率的开关操作，有助于减小外围磁性元件的体积和成本。

在接口与参数方面，STU5N95K3采用标准的10V逻辑电平驱动，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的抗噪声干扰能力。器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，最大功率耗散能力为90W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足严苛环境下的应用需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STU5N95K3非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和反激式拓扑结构、照明用电子镇流器、工业电机控制以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换级。它能够有效提升这些系统的整体能效和功率密度，是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的优选功率开关器件。

• 型号:STU5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用MOSFET（金属氧化物）技术，核心参数包括950V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高电压应用提供了坚实的耐压基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.5欧姆，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值19nC）和输入电容（Ciss，最大值460pF @ 25V）确保了高速开关能力和低驱动损耗。器件采用通孔式I-PAK封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，功率耗散能力达90W，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。