STULED656

STULED656是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其核心架构确保了在高压开关应用中，电荷能够被高效控制，从而提升整体能效与可靠性。对于需要可靠高压开关解决方案的设计，通过专业的ST芯片代理获取原厂技术支持与供货渠道至关重要。

该器件的主要特性体现在其高压耐受能力和稳健的开关性能上。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，使其能够从容应对工业电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和尖峰。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，提升开关频率潜力。

在电气参数上，STULED656在壳温（Tc）条件下可支持连续漏极电流（Id）达6A，最大功耗为70W，展现了其处理可观功率的能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，防止误触发。器件采用通孔安装的I-PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于在传统PCB板上进行焊接和热管理。其结温（Tj）最高可承受150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借650V的耐压等级和6A的电流处理能力，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制中的功率转换模块。其稳健的特性使其成为对成本敏感且要求高可靠性的AC-DC转换器、逆变器前级等应用的合适选择。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多现有设备和备件维修市场中，它仍然是一个被广泛认可和使用的经典型号。

• 型号:STULED656
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STULED656是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的价值：650V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压保障，而6A的连续漏极电流（Id）与70W的功率耗散能力则确保了其可处理相当的功率水平。

该器件的开关性能通过关键参数得以体现，包括在10V Vgs下优化的导通电阻、适中的栅极电荷以及高至150°C的工作结温。这些特性共同使其适合于要求高可靠性和高效能的功率转换场景，如开关电源和工业控制电源模块。