STW12N170K5

作为意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STW12N170K5是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于意法半导体专有的MDmesh K5技术平台，该平台通过优化单元结构和电荷平衡，在高压应用中实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效能功率转换系统提供了坚实的硬件基础。

该器件具备1700V的高漏源击穿电压，使其能够从容应对严苛的高压工作环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为5A，最大功率耗散可达250W，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、2.5A电流条件下典型值仅为2.9欧姆，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在37nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压容限，意味着它能够实现快速、干净的开关动作，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STW12N170K5采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@100A），确保了良好的噪声免疫能力和稳定的关断特性。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为1380pF，这些动态参数共同决定了其在开关电源中的高频性能表现。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了器件在恶劣温度环境下的可靠运行。

凭借其高压、高效和可靠的特性，该MOSFET非常适用于要求严苛的工业与能源领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、工业电机驱动和逆变器，以及太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率转换级。对于需要高性能高压开关解决方案的设计工程师而言，通过官方授权的ST代理获取此器件，是确保产品供应链稳定和原装品质的重要途径。

• 型号:STW12N170K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW12N170K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为1700V漏源电压和5A连续漏极电流（Tc=25°C），专为高效能、高可靠性的高压功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：最大2.9欧姆的低导通电阻（@10V， 2.5A）有效降低了传导损耗，而最大37nC的低栅极电荷（@10V）则有助于提升开关速度、降低开关损耗。结合250W（Tc）的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足工业电源、电机驱动和可再生能源转换等严苛应用的需求。