STW16N65M5

STW16N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色权衡，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，从而满足高效率、高功率密度应用的需求。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源（SMPS）的功率级提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌电压下的可靠性。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_{D）额定值为12A，支持较高的功率处理能力。其导通电阻在6A电流和10V栅源电压（VGS）条件下，典型值仅为279毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC（@10V），结合1250pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较低，有助于简化栅极驱动设计并提升高频开关性能。}

器件的栅源驱动电压（V_{GS）标准为10V，最大耐受电压为±25V，提供了稳定的驱动窗口和一定的抗干扰能力。其阈值电压（VGS(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫性。该MOSFET采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为90W（TC），最高结温（TJ）可达150°C，保证了在严苛热环境下的稳定运行。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。}

凭借其高压、低损耗的特性，STW16N65M5非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的MDmesh V技术优势，依然为后续产品开发和现有系统维护提供了重要的参考价值。

• 型号:STW16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:279 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW16N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括650V的漏源电压（V_DSS）和12A的连续漏极电流（I_D），为高压、大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为279毫欧，而栅极电荷（Q_g）最大值低至31nC。这一特性显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备90W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与耐用性。