STW20NB50

STW20NB50是ST意法半导体基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过创新的沟槽栅极和垂直布局结构，实现了优异的电气性能和热管理能力，确保了在高功率密度应用中的可靠性与效率。

该MOSFET的突出特性在于其500V的漏源击穿电压（V_DSS）和在25°C壳温下高达20A的连续漏极电流（I_D）能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下，典型值远低于250毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为110nC @ 10V，结合4700pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于高频开关电源的设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-247封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（T_J）可达150°C，在安装适当散热器的情况下，最大功率耗散为250W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系专业的ST中国代理获取相关服务。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STW20NB50非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关桥式拓扑、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）系统中的功率开关部分。它能够有效处理AC-DC和DC-AC转换过程中的高功率流，是工业电源、高性能计算电源和新能源逆变器等中高功率应用场景中的经典选择。

• 型号:STW20NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20NB50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（V_DSS）和20A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在低导通损耗与良好的开关性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，同时栅极电荷（Q_g）较小，这有助于提升电源系统的转换效率并降低开关损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统中高效功率开关的理想解决方案。