STW20NM60

STW20NM60是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关性能和雪崩耐量，为高效率、高可靠性的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性体现在其600V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力上，使其能够从容应对工业级功率环境下的高压应力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下典型值仅为290毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，器件具有优化的动态参数，如最大栅极电荷（Qg）仅为54nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升高频开关应用的性能上限。

在接口与参数方面，STW20NM60采用标准的TO-247-3通孔封装，提供了良好的机械强度和散热能力，其结壳热阻低，支持高达192W的功率耗散。器件的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了应用的鲁棒性。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备一定的抗干扰能力。工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及其相关技术支持。

凭借其高耐压、大电流、低损耗及坚固的封装特性，该器件非常适合应用于要求严苛的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STW20NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW20NM60的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW20NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心参数为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，具备出色的功率处理能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至290毫欧，有助于最小化导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg最大54nC）优化了开关性能，减少驱动损耗，适用于高频开关应用。器件最高工作结温为150°C，确保了高温环境下的可靠运行。