STW75NF30

STW75NF30是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅工艺，旨在优化功率密度与开关性能的平衡。其核心架构通过精细的单元设计和低栅极电荷特性，有效降低了导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的基础。TO-247-3封装确保了器件在高压、大电流工作条件下的机械稳固性和出色的散热能力，其结温范围覆盖-55°C至150°C，为严苛环境应用提供了可靠性保障。

该MOSFET的显著特性在于其300V的漏源击穿电压（Vdss）与高达60A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任中高功率级别的开关任务。在驱动电压为10V的条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值在30A电流时仅为45毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在164nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担，这对于提升开关电源的开关频率和功率密度至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了宽裕的驱动安全余量。

在接口与参数方面，该器件为标准的三引脚TO-247通孔封装，便于在PCB板上进行可靠的焊接和安装。其输入电容（Ciss）为5930pF，结合前述的栅极电荷参数，共同定义了开关动态特性。最大功率耗散能力达到320W（基于壳温Tc），体现了其强大的热管理潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与供应链服务。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定存量或替代设计中仍具参考价值。

基于其电压与电流规格，STW75NF30非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器的主开关、大功率电机驱动与变频控制、不间断电源（UPS）系统以及电焊机等专业设备。在这些应用中，其优异的Rds(on)与Qg平衡特性有助于优化整体能效，减少热设计压力，从而构建更紧凑、更可靠的功率解决方案。

• 型号:STW75NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW75NF30是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为300V漏源电压（Vdss）与60A连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。

其关键性能优势在于优异的导通特性，在10V驱动电压、30A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧，能显著降低传导损耗。同时，164nC的最大栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升开关电源的效率和功率密度。这些参数使其成为工业电源、电机驱动等高效能转换应用的理想选择。