STW7N105K5

STW7N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。得益于这种设计，该MOSFET能够在高压环境下稳定工作，同时保持良好的动态响应特性。

该器件的一个显著特点是其高达1050V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和浪涌冲击。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆，较低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合380pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关过程中的重叠损耗。

在接口与关键参数上，STW7N105K5采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达4A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。器件的开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V（@100A），具备一定的抗干扰能力。其最大功耗为110W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高压、低损耗及快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）应用，例如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）电路及主开关拓扑中。它也适用于照明领域的电子镇流器、高压DC-DC转换器以及不同断电源（UPS）系统。在这些场景中，其SuperMESH5技术带来的性能优势有助于系统实现更高的功率密度和更优的能效标准。

• 型号:STW7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于1050V的高漏源击穿电压与仅2欧姆的低导通电阻（@10V， 2A）的出色结合，这显著降低了功率传导损耗。

此外，该MOSFET具备17nC的低栅极电荷和380pF的输入电容，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。其采用TO-247通孔封装，在壳温条件下支持4A的连续漏极电流和110W的最大功耗，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的电源解决方案提供了坚实的硬件基础。