STY34NB50

STY34NB50是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用MAX247通孔封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计，其核心架构通过优化的单元结构和沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的电荷平衡，从而在高压条件下显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达34A的连续漏极电流（Id）承载能力，这使其能够稳定工作在严苛的功率环境中。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、17A电流条件下典型值仅为130毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态功耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在223nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STY34NB50支持高达±30V的栅源电压（Vgs），提供了宽裕的驱动安全余量。其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为5V，确保了良好的噪声免疫能力。该器件在壳温条件下的最大功率耗散能力为450W，最高结温（TJ）可达150°C，展现了强大的热性能和可靠性。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的用户，可以咨询ST中国代理以获取更详细的产品生命周期信息及替代方案建议，因为该产品目前已处于停产状态。

得益于其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及不间断电源（UPS）等工业与能源基础设施领域。其通孔封装形式也便于在需要高机械强度和优异散热性能的厚PCB板或散热器上进行安装，是构建稳健功率转换系统的关键元件之一。

• 型号:STY34NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:223 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STY34NB50的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STY34NB50是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用PowerMESH技术和MAX247通孔封装。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下34A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，同时栅极电荷（Qg）控制在223nC，这有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。其设计支持高达150°C的结温（TJ）和450W（Tc）的功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠运行。