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T3035H-8I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNSTR 800V 30A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T3035H-8I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T3035H-8I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T3035H-8I是ST意法半导体推出的高性能三端双向可控硅(TRIAC)器件,隶属于其高可靠性H系列。该器件采用成熟的平面钝化工艺和先进的TO-220AB绝缘封装,其核心架构旨在实现高电压阻断能力和稳健的电流处理性能。内部结构优化了载流子寿命和结温分布,确保了在宽温度范围内的稳定触发与关断特性,为交流负载的相位控制提供了坚实的基础。

该器件的一个突出功能特点是其800V的高断态重复峰值电压(VDRM,这使其能够从容应对工业电网中常见的电压波动和瞬态过压,显著提升了系统的可靠性。同时,其30A的RMS通态电流能力,配合高达283A(50Hz)的非重复浪涌电流承受力,意味着它能够驱动大功率负载并承受严苛的启动冲击。其栅极触发特性经过精心设计,最大触发电压(VGT)仅为1.3V,触发电流(IGT)最大35mA,这使得它能够被微控制器或简单的驱动电路轻松、可靠地触发,降低了外围电路的设计复杂度。此外,高达150°C的结温(TJ)工作范围,确保了其在高温环境下的持续稳定运行。

在接口与参数方面,T3035H-8I采用标准的三引脚TO-220绝缘封装,安装方式为通孔,便于散热器安装以实现高效的热管理。其“无缓冲器”设计表明它适用于大多数电阻性或电感性负载的相位控制应用,而无需额外的缓冲网络来抑制电压变化率(dv/dt),简化了电路板布局。关键参数如60mA的保持电流(IH)和宽广的工作温度范围,共同定义了其稳健的操作窗口。作为一款有源产品,其长期供货稳定,用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高电压、大电流和强鲁棒性的特点,T3035H-8I非常适合于工业级交流功率控制场景。典型应用包括工业加热器、电机软启动器、固态继电器、照明调光系统以及大功率交流电源开关。无论是需要精确相位控制的温控设备,还是要求高可靠通断的工业自动化设备,该器件都能提供高效、耐久的解决方案,是工程师设计下一代高可靠性功率控制系统的优选元件。

  • 型号:T3035H-8I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNSTR 800V 30A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):283A,270A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):60 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T3035H-8I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T3035H-8I是ST意法半导体生产的一款大功率三端双向可控硅,采用TO-220AB绝缘封装。其核心卖点在于高达800V的断态电压和30A的RMS通态电流处理能力,能够承受严苛的工业环境电压波动与大电流负载。

该器件具备优异的触发特性(VGT最大1.3V)和高达150°C的结温工作范围,确保了驱动简便性与高温下的运行可靠性。其强大的浪涌电流承受能力(最高283A)使其成为电机控制、加热调节及固态继电器等工业交流功率控制应用的理想选择。

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