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TSV632IDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSV632IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSV632IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q100系列中的一员,TSV632IDT是一款采用先进CMOS工艺制造的双通道通用运算放大器。其核心架构针对低电压、低功耗应用进行了深度优化,内部集成了两个完全独立的运算放大器单元,每个通道均具备出色的电气隔离性能,有效减少了通道间的串扰,确保了在复杂信号调理电路中的稳定性和可靠性。该芯片采用8-SOIC表面贴装封装,便于在紧凑的PCB空间内实现高密度布局。

在功能表现上,该器件最突出的特性是其极宽的工作电压范围(1.5V至5.5V)与超低的静态功耗。每个放大器的供电电流典型值仅为50A,双通道总计约100A,这使得它非常适用于由电池或能量收集系统供电的便携式及物联网设备,能够显著延长终端产品的续航时间。同时,其输出级采用满摆幅(Rail-to-rail)设计,输入和输出信号均可非常接近电源轨,在低电压供电条件下最大限度地扩大了动态范围,提升了信号处理的精度。

在接口与关键参数方面,880kHz的增益带宽积与0.34V/s的压摆率为其在音频处理、传感器信号调理、低速数据采集等中频带宽应用提供了良好的性能基础。其输入偏置电流低至1pA,输入失调电压为3mV,这些特性使其能够高精度地处理来自高阻抗传感器(如光电二极管、pH电极)的微弱信号。此外,每个通道可提供高达74mA的输出电流,驱动能力较强,能够直接驱动中小型负载。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,并通过了AEC-Q100认证,满足汽车电子及工业环境对元器件可靠性的严苛要求,用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应保障。

基于上述技术特点,TSV632IDT的应用场景十分广泛。在汽车电子领域,它可用于车窗控制、座椅位置传感器、低功耗车身控制模块的信号调理。在工业控制中,适用于温度、压力变送器、4-20mA电流环接收器以及可编程逻辑控制器(PLC)的模拟输入前端。在消费电子领域,它是便携式医疗设备(如血糖仪、血氧计)、智能穿戴设备、手持式仪表以及各类电池供电的传感器节点的理想选择,为系统设计者提供了一个在性能、功耗与成本之间取得优异平衡的放大器解决方案。

  • 型号:TSV632IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:标准(通用)
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:0.34V/s
  • 增益带宽积:880 kHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:1 pA
  • 电压 - 输入补偿:3 mV
  • 电流 - 供电:50A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:74 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):1.5 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TSV632IDT是ST意法半导体推出的一款双通道、低功耗、满摆幅输入输出的通用CMOS运算放大器。该器件核心优势在于其1.5V至5.5V的宽电源电压范围每通道仅50A的超低静态电流,专为延长电池寿命的便携式应用而优化。

其具备880kHz增益带宽积与0.34V/s压摆率,适用于中低频信号调理。1pA的极低输入偏置电流确保了处理高阻抗传感器信号时的精度。该芯片采用8-SOIC封装,工作温度范围为-40°C至125°C,并通过AEC-Q100认证,满足汽车及工业应用的可靠性需求。

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