ST代理,ST芯片代理,ST代理商
ST代理商渠道,ST芯片一站式采购平台
ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
ST
ULN2066B的图片

ULN2066B

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2066B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
ULN2066B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2066B是ST意法半导体推出的一款高性能四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用经典的16引脚PowerDIP封装。该器件内部集成了四个独立的达林顿对管,每个通道均由两个NPN晶体管以达林顿结构级联而成,这种设计显著提升了电流增益,使得微控制器或逻辑电路能够以极小的基极驱动电流(典型值仅需数毫安)控制高达1.75A的负载电流。其内部集成的续流二极管为感性负载(如继电器、步进电机线圈)提供了有效的反电动势泄放路径,简化了外围保护电路设计,提升了系统的可靠性。

在电气特性方面,ULN2066B展现出优异的驱动能力与稳健性。其集电极-发射极击穿电压高达50V,能够适应多种中压应用环境。在典型工作条件下(如基极电流为2mA,集电极电流为1.25A时),其饱和压降最大值为1.4V,这意味着在驱动大电流负载时,芯片自身的功耗被控制在较低水平,有助于减少发热并提升整体效率。该器件支持高达1W的功率耗散,工作温度范围覆盖工业级标准的-20°C至85°C,确保了在宽温环境下的稳定运行。

该芯片的接口设计充分考虑了易用性与兼容性。其输入端与标准TTL和5V CMOS逻辑电平完全兼容,可以直接由微控制器GPIO口驱动。输出端为开集电极结构,提供了灵活的接线方式。其通孔安装的16-PowerDIP封装具有出色的机械强度和散热能力,便于在原型开发与批量生产中实现可靠焊接。对于需要稳定供货与技术支持的项目,通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正品与供应链安全的重要途径。

凭借其高集成度、强驱动能力和内置保护功能,ULN2066B非常适合作为接口驱动器,广泛应用于需要多路中功率开关控制的场合。典型应用包括驱动继电器、步进电机、螺线管、LED显示阵列、白炽灯组以及各类工业自动化设备中的执行机构。它为设计工程师提供了一种经济高效、节省板面空间的可靠解决方案,简化了从低压控制逻辑到高压大电流负载之间的连接设计。

  • 型号:ULN2066B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2mA,1.25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 想获取ULN2066B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULN2066B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16-PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达1.75A的连续集电极电流和50V的集射极击穿电压,能够直接驱动继电器、电机线圈等中功率负载。

其设计核心优势在于高电流增益与内置保护。输入端兼容TTL/5V CMOS电平,易于与微控制器接口;每个输出端均集成续流二极管,可直接驱动感性负载而无需外接保护电路。在1.25A输出电流下,其最大饱和压降仅为1.4V,有效降低了导通损耗。这些特性使其成为多路负载驱动应用的紧凑、可靠解决方案。

了解更多ST芯片的报价及技术资料
ST芯片代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
ST公司(意法半导体)授权的国内ST一级代理一手货源,大小批量出货
ST中国代理商