VND14NV04TR-E

作为ST意法半导体OMNIFET II和VIPower系列的一员，VND14NV04TR-E是一款采用单片智能功率技术的高集成度N沟道功率MOSFET驱动器。该芯片将功率开关、控制逻辑和保护电路集成于单一封装内，其核心架构基于ST专有的VIPower M0-9技术，实现了逻辑电平输入与高功率负载输出的高效、可靠连接，无需外部Vcc供电，简化了系统设计。

该器件设计用于通用开关应用，采用低端输出配置，提供了一个非反相的开/关控制接口，便于与微控制器等逻辑电路直接连接。其最大负载电压可达36V，并能持续输出高达12A的电流，而典型导通电阻仅为35毫欧，这有效降低了导通状态下的功率损耗和温升，提升了整体能效。对于需要可靠电源管理的设计，联系专业的ST代理商是获取正品器件和技术支持的重要途径。

在接口与关键参数方面，VND14NV04TR-E内置了全面的故障保护机制，包括固定阈值限流、过温关断和过压钳位功能，这些特性共同保障了驱动电路和负载在异常工况下的安全。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。器件采用表面贴装型DPAK封装，并提供卷带（TR）包装，适合自动化贴片生产。

凭借其高电流驱动能力、低导通电阻和内置保护，VND14NV04TR-E非常适用于需要可靠开关和控制的中高功率负载场景。典型应用包括汽车电子系统中的继电器替代、电机驱动、加热器控制、电源分配模块，以及工业自动化中的电磁阀、螺线管驱动器等。其一体化的设计减少了外部元件数量，有助于节省PCB空间，降低系统复杂性和总成本，是构建紧凑、高效、鲁棒的功率开关解决方案的理想选择。

• 型号:VND14NV04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:12A
• 导通电阻（典型值）:35 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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VND14NV04TR-E是ST意法半导体推出的一款单片式智能高端驱动器，属于OMNIFET II系列。该器件集成了一个优化的N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路，采用低端配置，通过简单的开/关逻辑接口即可控制高达36V、12A的负载，典型导通电阻低至35毫欧，能效表现突出。

其核心优势在于高度集成与内置保护。器件无需外部Vcc电源，简化了设计。同时，它集成了固定限流、过温关断和过压保护等多重故障保护功能，确保了驱动器和负载在异常条件下的安全。宽泛的工作结温范围（-40°C至150°C）和DPAK表面贴装封装，使其能够适应汽车、工业等环境要求严苛的应用场景。