VNN7NV04TR-E

VNN7NV04TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的OMNIFET II系列智能功率开关，隶属于其成熟的VIPower技术平台。该器件采用单片集成设计，将功率N通道MOSFET与全面的保护和控制电路集成于紧凑的SOT-223封装内。其核心架构基于先进的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，实现了逻辑控制、驱动与功率输出的高效协同，无需外部Vcc/Vdd供电，简化了系统设计。这种高集成度方案为工程师提供了一个即插即用的负载驱动解决方案，显著减少了外围元件数量和PCB占用面积。

该器件作为一款单通道、低端配置的智能开关，具备高达6A的连续输出电流能力和典型值仅为60毫欧的低导通电阻，确保了在驱动如继电器、螺线管、白炽灯或小型直流电机等负载时，具有优异的能效表现和较低的功率损耗。其输入接口采用非反相的开/关逻辑控制，兼容常见的微控制器GPIO电平，操作直观简便。通过ST授权代理获取的技术资料，可以深入了解其稳健的电气特性。

在关键参数方面，VNN7NV04TR-E支持最大36V的负载电压，覆盖了12V和24V工业与汽车系统的常见需求。其最突出的优势在于内置了多重故障保护机制，包括固定阈值的限流保护、过压钳位以及结温过热关断功能。这些保护功能在芯片内部自动执行，无需外部监控电路，极大地增强了系统的可靠性和耐用性。器件的工作结温范围宽达-40°C至150°C，表面贴装的SOT-223封装形式也便于自动化生产。

得益于其高可靠性、易用性和内置保护，该芯片非常适合应用于对空间和成本敏感，同时要求高鲁棒性的领域。典型应用包括汽车车身控制模块中的负载驱动（如车窗升降器、座椅调节器）、工业自动化中的电磁阀或小型执行器控制，以及各类消费电子或家电产品的功率管理单元。它为设计人员提供了一个将负载与敏感控制电路有效隔离并加以保护的理想接口方案。

• 型号:VNN7NV04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:6A
• 导通电阻（典型值）:60 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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VNN7NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道智能高端开关，采用SOT-223封装。该器件集成了一个功率N通道MOSFET及其驱动保护电路，无需外部供电电压（Vcc/Vdd），极大简化了系统设计。

其核心参数包括最大36V的负载电压、6A的持续输出电流以及低至60毫欧（典型值）的导通电阻，确保了高效的功率切换能力。器件内置了全面的故障保护功能，如固定限流、过压钳位和过热关断，为负载和系统提供了高水平的保护，工作结温范围为-40°C至150°C。