STF13NM60ND

STF13NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于第二代FDmesh（Fast Diode Mesh）技术，该技术通过精细的单元结构和创新的加工工艺，显著降低了寄生电容和栅极电荷，从而提升了开关性能，同时保持了稳健的雪崩耐量和出色的dv/dt能力。

该MOSFET的突出特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级应用中的高压应力环境。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为380毫欧，这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在24.5nC，较低的栅极电荷需求意味着驱动电路的设计可以更为简化，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数上，STF13NM60ND在壳温（Tc）条件下可支持11A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±25V，增强了驱动的鲁棒性。输入电容（Ciss）在50V偏压下最大值为845pF，结合其快速的体二极管反向恢复特性，共同确保了器件在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上安装和进行热管理。作为全球重要的半导体供应商，ST代理网络可为此类高性能器件提供全面的技术支持和供应链服务。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STF13NM60ND非常适合于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率级。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STF13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至380毫欧，有助于最小化导通损耗。同时，最大24.5nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态，有利于降低开关损耗并提升工作频率。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度的开关电源、电机驱动及工业逆变器等应用的理想选择。