M24C32-WBN6

M24C32-WBN6是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的32Kbit EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造，其核心存储单元阵列被组织为4K x 8位的结构，提供了可靠的字节级和页级数据读写能力。其内部集成了完整的地址解码器、高压发生电路以及数据锁存器，确保了在单电源供电条件下对存储单元的精确编程与擦除操作，整个架构设计旨在实现高可靠性与低功耗的平衡。

该芯片的功能特性突出体现在其广泛的2.5V至5.5V宽电压工作范围上，使其能够无缝兼容从传统5V系统到现代低功耗3.3V及以下系统的设计需求。高达1MHz的快速IC总线时钟频率显著提升了数据传输效率，而典型的450ns访问时间和5ms的写入周期则保证了数据操作的实时性与确定性。其非易失性特性确保在断电情况下数据可保存超过40年，并且能够承受至少100万次的擦写循环，满足了工业级应用对数据持久性和耐用性的严格要求。

在接口与电气参数方面，M24C32-WBN6严格遵循IC总线协议，通过串行数据线（SDA）和串行时钟线（SCL）与主控制器通信，支持标准的100kHz、400kHz以及快速的1MHz模式。其硬件写保护引脚提供了额外的数据安全机制。该器件设计有三个地址选择引脚，允许在同一总线上挂接多达八个同型号器件，极大地扩展了系统存储容量。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术资料。

凭借其稳健的性能和标准化的接口，M24C32-WBN6非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。典型应用场景包括工业控制与自动化设备、智能电表、汽车电子模块（如车身控制单元）、医疗仪器、通信设备以及消费类电子产品。其8引脚DIP通孔封装形式也特别适合原型开发、测试以及一些对可靠性要求极高、倾向于使用通孔元件的传统或工业级产品设计。

• 型号:M24C32-WBN6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8DIP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:32Kb
• 存储器组织:4K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
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M24C32-WBN6是STMicroelectronics生产的一款32Kbit容量串行EEPROM存储器，采用标准的IC接口，最高支持1MHz的通信速率。该器件提供4K x 8位的存储组织方式，并具备宽泛的2.5V至5.5V工作电压范围，兼容性强。

其核心参数包括450ns的快速访问时间、5ms的典型写入周期，以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的数据可靠存取与长期保存。该芯片采用8-DIP通孔封装，适用于需要稳定非易失性存储解决方案的各类嵌入式系统。