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M34F04-WMN6TP的图片

M34F04-WMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M34F04-WMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M34F04-WMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M34F04-WMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用标准的IC串行接口,其核心存储阵列组织为512 x 8位结构,提供总计4Kb的可靠数据存储空间。其设计充分考虑了工业级应用的稳定性需求,内置的写保护机制和硬件数据保护功能,确保了在复杂电磁环境或电源波动情况下关键配置参数与用户数据的完整性。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压供电范围与高速操作性能上。其工作电压支持从2.5V至5.5V,能够无缝兼容3.3V和5V系统,为设计提供了高度的灵活性。高达400kHz的IC时钟频率确保了快速的数据读写吞吐能力,而字/页写入周期典型值仅为5ms,访问时间低至900ns,有效提升了系统整体响应速度。其工业级宽温工作范围(-40°C至85°C)使其能够胜任从消费电子到汽车、工业控制等各类严苛环境的应用。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品。

在接口与电气参数方面,M34F04-WMN6TP采用两线制IC接口,极大节省了微控制器的I/O引脚资源,并支持多器件寻址,便于系统扩展。芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,封装宽度为3.90mm,符合主流的紧凑型PCB设计需求。其卷带(TR)包装形式也适配于自动化贴片生产线,有利于规模化制造。这些特性共同构成了一个高可靠性、易用且经济的存储解决方案。

基于上述技术特性,M34F04-WMN6TP非常适合应用于需要存储少量但关键数据的场景。典型应用包括智能电表、家用电器、医疗设备中的参数与校准数据存储,物联网传感器节点的数据记录,以及各类消费电子产品和工业控制模块中的配置信息保存。其非易失性确保了设备掉电后信息不丢失,宽温特性保障了在户外或工业环境下的长期稳定运行,是工程师在设计中实现可靠数据存储的优选器件之一。

  • 型号:M34F04-WMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:4Kb
  • 存储器组织:512 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M34F04-WMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M34F04-WMN6TP是ST意法半导体生产的一款4Kb串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,通信速率可达400kHz,并提供512 x 8位的存储结构,适用于需要频繁更新小规模非易失数据的应用。

其核心优势在于宽泛的2.5V至5.5V工作电压范围与-40°C至85°C的工业级温度范围,确保了在不同供电环境和苛刻温度条件下的可靠运行。5ms的典型写周期时间与900ns的访问时间,为系统提供了高效的数据存取性能。器件采用8-SOIC表面贴装封装,以卷带形式供货,便于自动化生产。

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