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M58LW032C90ZA1的图片

M58LW032C90ZA1

ST图标
存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64TBGA
原厂封装:产品封装:64-TBGA
优势价格,M58LW032C90ZA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58LW032C90ZA1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M58LW032C90ZA1是ST意法半导体推出的一款并行接口NOR闪存芯片,采用先进的存储单元架构,旨在为需要可靠代码存储和快速读取的应用提供高性能解决方案。该芯片基于成熟的浮栅技术,确保了数据在断电情况下的长期保持能力,其非易失特性使其成为系统启动代码、固件或关键参数存储的理想载体。内部集成了高效的地址解码器和灵敏的读出放大器,能够在宽电压范围内稳定工作,为微处理器或微控制器提供快速的指令执行支持。

该器件的一个显著特点是其灵活的存储容量组织方式,支持4M x 8位2M x 16位的配置,这为不同位宽的系统总线提供了便捷的适配能力。其并行接口设计允许高速的数据吞吐,90纳秒的访问时间确保了处理器能够以最小的等待状态获取指令或数据,从而提升整体系统响应速度。工作电压范围覆盖2.7V至3.6V,兼容常见的3.3V逻辑电平,并能在0°C至70°C的工业标准温度范围内稳定运行,表现出良好的环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

在物理封装上,该芯片采用64引脚TBGA(球栅阵列)表面贴装形式,这种封装具有较小的占板面积和优良的散热性能,适合高密度PCB布局。其并联接口提供了独立的地址、数据和控制总线,支持标准的读写、片选和输出使能操作,便于与大多数主流微处理器直接连接。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计所体现的高可靠性、快速访问以及宽电压工作等特点,使其在过往及某些现有系统中仍具有重要参考价值。

基于其技术特性,M58LW032C90ZA1主要面向需要可靠非易失存储和快速读取的嵌入式领域。典型应用包括工业控制设备、网络通信设备、汽车电子子系统以及医疗仪器等,在这些场景中,芯片常用于存储启动引导程序(Bootloader)、操作系统内核、应用程序固件或设备配置参数。其快速读取能力尤其适合基于XIP(就地执行)架构的系统,允许代码直接从闪存中执行,无需先加载至RAM,从而简化了系统设计并降低了成本。

  • 制造商产品型号:M58LW032C90ZA1
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64TBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(4M x 8,2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:90ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:64-TBGA
  • 想获取M58LW032C90ZA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M58LW032C90ZA1是ST意法半导体生产的一款32Mb并行NOR闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术,提供4M x 8位或2M x 16位的灵活存储组织方式,访问时间为90ns,能够为微处理器提供高速的代码读取和数据存取支持。

其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容标准的3.3V系统,并保证在0°C至70°C的环境温度下稳定运行。芯片采用64-TBGA表面贴装封装,具备并联存储器接口,适用于对可靠性和读取速度有较高要求的嵌入式应用场景。

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