SD1731

SD1731是ST意法半导体推出的一款面向射频功率放大应用的高性能NPN双极结型晶体管。该器件采用先进的硅基工艺制造，其核心架构针对高频、高功率下的稳定性和效率进行了优化。集电极-发射极击穿电压高达55V，确保了在高压摆幅下的可靠工作，而高达200°C的结温工作能力则赋予了其在严苛热环境下的出色鲁棒性。

该晶体管的一个显著功能特点是其高达233W的射频输出功率能力，结合13dB的功率增益，使其能够在驱动级或末级放大中提供强劲的信号放大。其直流电流增益在10A、6V条件下最小值为15，保证了在大电流工作状态下仍有足够的电流驱动能力，这对于维持放大器的线性度和效率至关重要。尽管其噪声系数等高频细化参数未在标准规格中明确列出，但其20A的最大集电极电流和高功率处理能力明确指向了中高功率的射频应用场景。

在接口与参数层面，SD1731采用表面贴装型的M174封装，便于现代自动化生产线的装配，并有利于高频电路板的布局设计，减少寄生参数的影响。其宽泛的工作电压和电流范围，为设计人员提供了灵活的偏置点选择空间，以适应不同的工作类别（如A类、AB类或C类）。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关的技术资料与采购支持。

基于其技术特性，SD1731非常适合应用于专业通信设备、工业射频加热、广播发射机以及某些特定频段的雷达系统等需要高功率射频输出的领域。其设计平衡了功率、增益和耐用性，是构建稳健射频前端功率放大链路的可靠选择。

• 型号:SD1731
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M174
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 55V M174
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:55V
• 频率 - 跃迁:-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
• 增益:13dB
• 功率 - 最大值:233W
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 10A，6V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:M174
• 供应商器件封装:M174
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SD1731是ST意法半导体生产的一款NPN射频功率晶体管，采用表面贴装M174封装。该器件核心设计用于处理高达233W的射频输出功率，并提供13dB的功率增益，能够在高达55V的集射极电压和20A的集电极电流条件下稳定工作。

其技术参数表明，该晶体管侧重于高功率放大能力与鲁棒性，最小直流电流增益为15 @ 10A, 6V，且结温最高可工作至200°C。这些特性使其成为驱动级或最终功率输出级的理想选择，适用于对输出功率和可靠性有较高要求的射频系统。