STD52P3LLH6

STD52P3LLH6是ST意法半导体基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款高性能P沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在紧凑的DPAK封装内实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，这得益于精细的单元设计和先进的沟槽工艺，有效降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的最大连续漏极电流高达52A（在壳温条件下），同时导通电阻（RDS(on)）在10V VGS驱动下典型值仅为12毫欧，这确保了在大电流负载下仍能维持较低的压降和温升。其栅极驱动特性经过特别优化，栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为2.5V，且栅极总电荷（Qg）在4.5V VGS下典型值仅为33nC，这使得它能够被标准逻辑电平或低电压PWM控制器轻松、快速地驱动，显著降低了驱动电路的复杂性和功耗。此外，其最大漏源电压（VDSS）为30V，最高结温（TJ）可达175°C，并拥有±20V的栅源电压耐受能力，提供了宽裕的工作裕量和出色的可靠性。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其功率耗散能力在壳温条件下最大为70W。关键的动态参数，如输入电容（Ciss）在25V VDS下最大为3350pF，与低Qg特性相结合，共同决定了其优异的开关速度。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、SPICE模型以及应用支持。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关特性，STD52P3LLH6非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括低压大电流的同步整流、电机驱动控制、电池保护电路、负载开关以及DC-DC转换器中的高端开关。尤其在由锂电池组（如12V或24V系统）供电的便携设备、电动工具、无人机和服务器电源的次级侧电路中，该器件能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STD52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD52P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET H6技术的P沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压（VDSS）额定值下，能够提供高达52A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻（典型值12mΩ @ 10V VGS），旨在最大限度地降低传导损耗。

其优化的栅极特性，包括低至33nC的栅极电荷（Qg）和2.5V的最大栅极阈值电压（VGS(th)），确保了快速、高效的开关性能，并兼容低电压驱动。封装于标准的表面贴装DPAK中，并支持高达175°C的结温，使其成为要求高可靠性、高效率的同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。