STF21N65M5

STF21N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通损耗的优异平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业级交流输入电压波动提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A测试电流下典型值仅为190毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热，有助于提升系统能效和功率密度。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC（@10V），结合1950pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较低，有利于简化驱动电路设计并实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积。

在接口与可靠性方面，STF21N65M5采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上。其栅源极最大允许电压（Vgs）为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。器件最高结温（Tj）可达150°C，并能在壳温条件下耗散高达30W的功率，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）以及照明系统的电子镇流器等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑、更经济的整体设计方案。

• 型号:STF21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF21N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为650V漏源电压和17A连续漏极电流，专为高效能、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势主要体现在极低的导通损耗上，在10V栅极驱动下导通电阻最大值仅为190毫欧，同时栅极电荷被优化至50nC，这共同确保了在高频开关状态下兼具低传导损耗和低开关损耗。高达150°C的结温额定值和30W的功率耗散能力，进一步保障了其在工业级应用环境下的长期稳定运行。