STP4N62K3

STP4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保器件在关断状态下能够稳定承受高达620V的漏源电压，同时通过降低单位面积的导通电阻来提升整体能效。

得益于SuperMESH3技术，这款MOSFET展现出显著的功能优势。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、1.9A漏极电流条件下仅为1.95欧姆，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并减少发热。其栅极电荷（Qg）典型值较低，约为14nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关特性，能够有效降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数与物理接口方面，STP4N62K3标称连续漏极电流（Id）为3.8A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力为70W（Tc），结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了其稳健的功率处理能力。器件采用经典的TO-220通孔封装，这种封装形式机械强度高，热性能优良，便于通过散热片进行有效热管理，非常适合在需要处理中等功率的场合使用。对于需要可靠货源和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是推荐的渠道。

该MOSFET典型的应用场景涵盖各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动控制等中功率领域。其620V的耐压值使其能够轻松应对整流后高压直流母线带来的电压应力，例如在230V AC输入的应用中。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍占有一席之地，是工程师在维护或升级相关系统时需要考虑的一款经典功率开关解决方案。

• 型号:STP4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心特性在于其620V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至1.95欧姆的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，这使其在高压应用中能有效降低导通损耗。

器件在10V栅极电压驱动下，具备3.8A的连续漏极电流承载能力，最大功率耗散为70W。其较低的栅极电荷（14nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升整体电源效率。这些特性使其非常适用于开关电源、照明驱动及电机控制等中功率领域。